Группа учёных из Пекинского университета под руководством профессора Хуан Бина сделала важное открытие в исследовании дефектов в материале нитрид галлия (GaN). Этот материал играет ключевую роль в создании передовой электроники, особенно в области военных технологий.
Исследователи выяснили, что основная проблема с дефектами возникает при выращивании кристаллов GaN на подложках из других материалов, таких как кремний или сапфир. Эти дефекты, называемые дислокациями, приводят к утечкам тока и ухудшают производительность чипов из этого материала.
Оказалось, что дефекты в GaN образуются из-за специфических процессов, отличных от процессов, приводящих к дефектам в других материалах, таких как кремний. Учёные смогли выявить, что изменение энергетического уровня, называемого уровнем Ферми, позволяет контролировать образование дефектов при производстве нитрида галлия.
Нитрид галлия является важным материалом для создания базовых станций 5G, радаров, военных систем связи и других высокотехнологичных устройств. Китай контролирует большую часть производства галлия, что делает его важным игроком на мировом рынке полупроводников.
Открытие учёных из Пекина может снизить количество дефектов в GaN и сделать производство чипов более эффективным. Это может привести к снижению стоимости таких чипов и дать китайским компаниям преимущество на мировом рынке электроники.
Технология GaN обладает уникальными свойствами, такими как высокая стабильность при высоких температурах и частотах, что делает её незаменимой для военных систем и других высокотехнологичных устройств. Однако производство GaN сложно из-за его специфической кристаллической структуры и анизотропии.
Исследование профессора Хуан Бина открывает новые возможности для производства GaN и может значительно повлиять на развитие отрасли электроники и военной техники.
© KiberSec.ru – 02.04.2025, обновлено 02.04.2025
Перепечатка материалов сайта возможна только с разрешения администрации KiberSec.ru.
