Skip to content Skip to sidebar Skip to footer

Галлийный нитрид: ключ к идеальной электронике

Группа учёных из Пекинского университета под руководством профессора Хуан Бина сделала важное открытие в исследовании дефектов в материале нитрид галлия (GaN). Этот материал играет ключевую роль в создании передовой электроники, особенно в области военных технологий. Исследователи выяснили, что основная проблема с дефектами возникает при выращивании кристаллов GaN на подложках из других материалов, таких как кремний или…

Read More